Šiandien Samsung paskelbė, kad sukūrė pasaulyje pirmąjį DDR4 DRAM modulį, kuris yra pagrįstas 30 nm gamybos procesu.
DDR4 DRAM modulis veikia 2133MHz dažniu ir naudoja 1.2V įtampą. Be to, jis gaminamas naudojant 30 nm technologiją ir jo talpa siekia iki 2 GB. Naudojant POD (Pseudo Open Drain) technologiją energijos suvartojimas sumažėja iki 40%, lyginant su 1.5V DDR3 moduliu.
Svarbu tai, kad pirmieji pasaulyje DDR, DDR2 ir DDR3 DRAM moduliai taip pat buvo sukurti Samsung kompanijos. Daugiau informacijos galite rasti oficialioje Samsung svetainėje.
Pasaulyje pirmasis DDR4 atminties modulis
Sausis - 4 - 2011
4 atsakymai(-ų) į “Pasaulyje pirmasis DDR4 atminties modulis”
Jūsų komentaras
Apklausa
Loading ...
Idomu kiek dar lauksim, kol juos galėsim panaudoti :)
Keista, jog talpa vos 2GB.
Pagal ka Tie RAMAI skirstomi i DRR DRR2 ir DRR3 ?
Nesunkiai galima bus pasiekti 3000 mhz
O tai gal latency bus labai didelis ir pralaidumas nebus didesnis nei kad ddr3