Mažiau nei prieš metus Samsung ir Toshiba pradėjo kurti perjungiamą DDR2 NAND Flash atmintį, o vakar anonsuotas šios atminties gamybos startas – 64Gb (8GB) MLC NAND lustas su perjungiama DDR2 sąsaja.



Pagamintas naudojant 20nm technologiją 64 Gb NAND turi 400 Mbps pralaidumą, dabartiniai SDR NAND pasiekia 40 Mbps pralaidumą, kurie yra naudojami išmaniuosiuose telefonuose bei SSD kaupikliuose.

“Su šiais 20nm, 64Gb, perjungiamais DDR 2.0 NAND lustais Samsung lyderiauja vystant ketvirtos kartos išmaniuosius telefonus ir SATA 6Gbps SSD kaupiklius” – sakė Wanhoon Hong, atminties pardavimų ir rinkodaros vykdantysis vice prezidentas. “Mes ir toliau agresyviai kursime pasaulyje pažangiausią pergjungiamą DDR NAND atmintį su dar didesnia sparta.”

Pagal Samsung naujieji 64Gb perjungiami DDR2 NAND leis 50% padidinti produktyvumą lyginant su 20nm 32Gb MLC NAND perjungiama DDR 1.0 sąsaja.